Transistor de canal N FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor de canal N FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.48€
5-24
2.19€
25-49
1.98€
50-99
1.80€
100+
1.59€
Quantidade em estoque: 35

Transistor de canal N FQPF9N50CF, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 790pF. Custo): 130pF. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 28nC, Crss baixo 24pF. IDss (min): 10uA. Id(im): 36A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 93 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: +55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41

Documentação técnica (PDF)
FQPF9N50CF
30 parâmetros
DI (T=100°C)
5.4A
DI (T=25°C)
9A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.7 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
790pF
Custo)
130pF
Diodo Trr (mín.)
100 ns
Função
Troca rápida, carga de porta baixa 28nC, Crss baixo 24pF
IDss (min)
10uA
Id(im)
36A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
44W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
93 ns
Td(ligado)
18 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura operacional
+55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Fairchild