Transistor de canal N FQPF7N80C, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.57 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1290pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 120pF. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10uA. Id(im): 26.4A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 56W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Carga de porta baixa (típico 40nC), Low Crss 10pF. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41