Transistor de canal N FQPF5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor de canal N FQPF5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.33€
5-24
1.10€
25-49
0.98€
50+
0.86€
Quantidade em estoque: 282

Transistor de canal N FQPF5N60C, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 515pF. Custo): 55pF. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF. IDss (min): 1uA. Id(im): 18A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41

Documentação técnica (PDF)
FQPF5N60C
30 parâmetros
DI (T=100°C)
2.6A
DI (T=25°C)
4.5A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
2 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
515pF
Custo)
55pF
Diodo Trr (mín.)
300 ns
Função
Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF
IDss (min)
1uA
Id(im)
18A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
33W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
46 ns
Td(ligado)
10 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Fairchild