Transistor de canal N FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor de canal N FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.64€
5-9
1.52€
10-24
1.37€
25-49
1.27€
50+
1.23€
Quantidade em estoque: 60

Transistor de canal N FQPF5N50C, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1.14 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 480pF. Custo): 80pF. Diodo Trr (mín.): 263 ns. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 18nC, Crss baixo 15pF. IDss (min): 1uA. Id(im): 20A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41

Documentação técnica (PDF)
FQPF5N50C
30 parâmetros
DI (T=100°C)
2.9A
DI (T=25°C)
5A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
1.14 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
480pF
Custo)
80pF
Diodo Trr (mín.)
263 ns
Função
Troca rápida, carga de porta baixa 18nC, Crss baixo 15pF
IDss (min)
1uA
Id(im)
20A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
38W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
50 ns
Td(ligado)
12 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Fairchild