Transistor de canal N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Transistor de canal N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Quantidade
Preço unitário
1-4
2.01€
5-24
1.75€
25-49
1.55€
50-99
1.37€
100+
1.17€
Quantidade em estoque: 64

Transistor de canal N FQPF3N80C, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 543pF. Custo): 54pF. Diodo Trr (mín.): 642 ns. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 13nC, Crss baixo 5,5pF. IDss (min): 10uA. Id(im): 12A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 22.5 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41

Documentação técnica (PDF)
FQPF3N80C
30 parâmetros
DI (T=100°C)
1.9A
DI (T=25°C)
3A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
4 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
800V
C (pol.)
543pF
Custo)
54pF
Diodo Trr (mín.)
642 ns
Função
Troca rápida, carga de porta baixa 13nC, Crss baixo 5,5pF
IDss (min)
10uA
Id(im)
12A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
39W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
22.5 ns
Td(ligado)
15 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Fairchild