Transistor de canal N FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

Transistor de canal N FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V

Quantidade
Preço unitário
1-4
3.66€
5-24
3.24€
25-49
2.89€
50+
2.54€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 53

Transistor de canal N FQPF11N50CF, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1515pF. Custo): 185pF. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 43nC, Crss baixo 20pF. IDss (min): 10uA. Id(im): 44A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: QFET ® FRFET ® MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 02/01/2026, 17:42

FQPF11N50CF
30 parâmetros
DI (T=100°C)
7A
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.48 Ohms
Carcaça
TO-220FP
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220FP
Tensão Vds(máx.)
500V
C (pol.)
1515pF
Custo)
185pF
Diodo Trr (mín.)
90 ns
Função
Troca rápida, carga de porta baixa 43nC, Crss baixo 20pF
IDss (min)
10uA
Id(im)
44A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
48W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
120ns
Td(ligado)
24 ns
Tecnologia
QFET ® FRFET ® MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Fairchild

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