Transistor de canal N FQP7N80, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1420pF. Custo): 150pF. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10uA. Id(im): 26.4A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41