Transistor de canal N FQP50N06, TO-220, 60V, 35.4A, 50A, 10uA, 0.018 Ohms, TO-220, 60V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 35.4A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.018 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. C (pol.): 1180pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1540pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Custo): 440pF. Diodo Trr (mín.): 52 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Comutação de alta velocidade. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 50A. IDss (min): 1uA. Id(im): 200A. Marcação do fabricante: FQP50N06. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura máxima: +175°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41