Transistor de canal N FQP44N10, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Transistor de canal N FQP44N10, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

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Transistor de canal N FQP44N10, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 30.8A. DI (T=25°C): 43.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1400pF. Custo): 425pF. Diodo Trr (mín.): 98 ns. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta. IDss (min): 1uA. Id(im): 174A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 146W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41

Documentação técnica (PDF)
FQP44N10
30 parâmetros
DI (T=100°C)
30.8A
DI (T=25°C)
43.5A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.03 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
1400pF
Custo)
425pF
Diodo Trr (mín.)
98 ns
Função
Comutação rápida, baixa carga de porta
IDss (min)
1uA
Id(im)
174A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
146W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
90 ns
Td(ligado)
19 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Fairchild