Transistor de canal N FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1150pF. Custo): 320pF. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta. IDss (min): 1uA. Id(im): 132A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 127W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41