Transistor de canal N FQP19N10, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 13.5A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.078 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 600pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 165pF. Diodo Trr (mín.): 78 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 76A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 50. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41