Transistor de canal N FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1580pF. Custo): 180pF. Diodo Trr (mín.): 410 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 52A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 195W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Carga de porta baixa (típico 43nC). Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41