Transistor de canal N FQP12N60C, TO-220, 600V, 7.4A, 12A, 10uA, 0.53 Ohms, TO-220, 600V. Carcaça: TO-220. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. DI (T=100°C): 7.4A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.53 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 280 ns. C (pol.): 1760pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2290pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Custo): 182pF. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 225W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Comutação de alta velocidade. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 12A. IDss (min): 1uA. Id(im): 48A. Marcação do fabricante: FQP12N60C. Marcação na caixa: FQP12N60C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 70 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41