Transistor de canal N FQD7N10L, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. DI (T=100°C): 3.67A. DI (T=25°C): 23.2A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.258 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 220pF. Custo): 55pF. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: Carga baixa do portão. IDss (min): 1uA. Id(im): 5.8A. Marcação na caixa: FQD7N10L. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41