Transistor de canal N FQAF11N90C, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 900V, 4.4A, 7A, 100uA, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.91 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão Vds(máx.): 900V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270 ns. C (pol.): 2530pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Condicionamento: tubo de plástico. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Custo): 215pF. Diodo Trr (mín.): 1000 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 7.2A. IDss (min): 10uA. Id(im): 28A. Marcação do fabricante: FQAF11N90C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 30. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41