Transistor de canal N FQA24N60, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

Transistor de canal N FQA24N60, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

Quantidade
Preço unitário
1-4
9.49€
5-14
8.79€
15-29
7.84€
30+
7.18€
Quantidade em estoque: 19

Transistor de canal N FQA24N60, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. DI (T=100°C): 14.9A. DI (T=25°C): 23.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 4200pF. Custo): 550pF. Diodo Trr (mín.): 470 ns. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 90nC). IDss (min): 10uA. Id(im): 94A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41

Documentação técnica (PDF)
FQA24N60
29 parâmetros
DI (T=100°C)
14.9A
DI (T=25°C)
23.5A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.18 Ohms
Carcaça
TO-3PN ( 2-16C1B )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3PN
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
4200pF
Custo)
550pF
Diodo Trr (mín.)
470 ns
Função
Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 90nC)
IDss (min)
10uA
Id(im)
94A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
310W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
diodo
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
200 ns
Td(ligado)
90 ns
Tecnologia
Tecnologia DMOS
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Fairchild