Transistor de canal N FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. DI (T=100°C): 11.7A. DI (T=25°C): 18.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2800pF. Custo): 350pF. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). IDss (min): 10uA. Id(im): 74A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 65 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41