Transistor de canal N FQA11N90_F109, TO-3PN, 900V. Carcaça: TO-3PN. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 340 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 11.4A. Marcação do fabricante: FQA 11N90. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 140 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27