Transistor de canal N FP25R12W2T4, 25A, outro, outro, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Carcaça: outro. Habitação (conforme ficha técnica): outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1.45pF. Corrente do coletor: 39A. Dimensões: 56.7x48x12mm. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Ic(pulso): 50A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Nota: 7x IGBT+ CE Diode. Número de terminais: 33dB. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. RoHS: sim. Td(desligado): 0.46 ns. Td(ligado): 0.08 ns. Tecnologia: Módulo híbrido IGBT. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.25V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Eupec/infineon. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:41