Transistor de canal N FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. C (pol.): 2915pF. Cobrar: 284nC. Corrente do coletor Ic [A]: 60A. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Custo): 270pF. Diodo CE: sim. Diodo Trr (mín.): 47ms. Diodo de germânio: não. Embalagem: tubus. Emissor - tensão do portão: ±20V. Função: Inversor Solar, UPS, Estação de Soldagem, PFC, Telecom, ESS. IP de corrente de pico de coletor [A]: 180A. Ic(pulso): 180A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. Potência: 300W. RoHS: sim. Td(desligado): 104 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão (colecionador - emissor): 650V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: IGBT. Produto original do fabricante: International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00