Transistor de canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V

Transistor de canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V

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Transistor de canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Carcaça: SOT23. Vdss (dreno para tensão da fonte): 25V. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 8 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 9.5pF. Características: -. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 0.22A. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 0.22A. Informação: -. Marcação do fabricante: 301. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Polaridade: MOSFET N. Rds em (max) @ id, vgs: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. RoHS: sim. Série: -. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 301. Tensão porta/fonte Vgs max: 8V. Tipo de montagem: SMD. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27

Documentação técnica (PDF)
FDV301N
23 parâmetros
Carcaça
SOT23
Vdss (dreno para tensão da fonte)
25V
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
25V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
8 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
9.5pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
4 Ohms @ 0.2A
Dissipação máxima Ptot [W]
0.35W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
0.22A
Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua)
0.22A
Marcação do fabricante
301
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.35W
Polaridade
MOSFET N
Rds em (max) @ id, vgs
9 Ohms / 0.2A / 2.7V
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
8 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
301
Tensão porta/fonte Vgs max
8V
Tipo de montagem
SMD
Produto original do fabricante
Onsemi (fairchild)