Transistor de canal N FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 9.8m Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1205pF. Condicionamento: rolo. Custo): 290pF. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Função: controle de nível lógico. IDss (min): 1uA. Id(im): 50A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 2500. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00