Transistor de canal N FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

Transistor de canal N FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V

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Transistor de canal N FDP3632, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 6000pF. Custo): 820pF. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. IDss (min): 1uA. Id(im): 80A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00

Documentação técnica (PDF)
FDP3632
30 parâmetros
DI (T=100°C)
57A
DI (T=25°C)
80A
Idss (máx.)
250uA
On-resistência Rds On
0.009 Ohms
Carcaça
TO-220
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220AB
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
6000pF
Custo)
820pF
Diodo Trr (mín.)
64 ns
Função
Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS
IDss (min)
1uA
Id(im)
80A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
310W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
90 ns
Td(ligado)
30 ns
Tecnologia
N-Channel PowerTrench® MOSFET
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
ON Semiconductor

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