Transistor de canal N FDP18N50, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 10.8A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2200pF. Custo): 330pF. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 1uA. Id(im): 72A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 235W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: N-Channel MOSFET (UniFET). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 23:00