Transistor de canal N FDC6561AN, SSOT-6, SuperSOT-6. Carcaça: SSOT-6, SuperSOT-6. : aprimorado. Cobrar: 3.2nC. Corrente de drenagem: 2.5A. Montagem/instalação: SMD. Polaridade: unipolar. Potência: 0.96W. RoHS: sim. Tecnologia: PowerTrench®. Tensão da fonte de drenagem: 30V. Tensão de fonte de porta: ±20V. Tipo de transistor: N-MOSFET x2. Produto original do fabricante: Onsemi. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 22:22