Transistor de canal N FDC6324L, SUPERSOT-6, 8V
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Transistor de canal N FDC6324L, SUPERSOT-6, 8V. Carcaça: SUPERSOT-6. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 8V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: -. Capacitância Ciss Gate [pF]: -. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: -. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.7W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 1.5A/1.5A. Marcação do fabricante: -. Número de terminais: 6. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: -. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:24
FDC6324L
11 parâmetros
Carcaça
SUPERSOT-6
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
8V
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Dissipação máxima Ptot [W]
0.7W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS, P-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
1.5A/1.5A
Número de terminais
6
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
3V
Produto original do fabricante
Onsemi (fairchild)