Transistor de canal N FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. DI (T=100°C): -. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.0087 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 1970pF. Custo): 250pF. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): -. Id(im): 100A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:47