Transistor de canal N FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V

Transistor de canal N FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V

Quantidade
Preço unitário
1-4
5.61€
5-14
4.95€
15-29
4.48€
30-59
4.18€
60+
3.73€
Equivalência disponível
Quantidade em estoque: 76

Transistor de canal N FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.041 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 3090pF. Custo): 630pF. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Função: PDP TV, AC/DC Converter. IDss (min): 1uA. Id(im): 236A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 392W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:47

Documentação técnica (PDF)
FDA59N25
29 parâmetros
DI (T=100°C)
35A
DI (T=25°C)
59A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.041 Ohms
Carcaça
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-3PN
Tensão Vds(máx.)
250V
C (pol.)
3090pF
Custo)
630pF
Diodo Trr (mín.)
190 ns
Função
PDP TV, AC/DC Converter
IDss (min)
1uA
Id(im)
236A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
392W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
90 ns
Td(ligado)
70 ns
Tecnologia
UniFET MOSFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Fairchild

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