Transistor de canal N FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V

Transistor de canal N FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V

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Transistor de canal N FCPF11N60, 650V, 0.33 Ohms, TO-220FP, 7A, 11A, 10uA, TO-220F, 600V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 650V. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. Carcaça: TO-220FP. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1148pF. Corrente máxima de drenagem: 11A. Custo): 671pF. Função: Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF. IDss (min): 1uA. Id(im): 33A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Potência: 36W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: SuperFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 01:47

Documentação técnica (PDF)
FCPF11N60
26 parâmetros
Tensão da fonte de drenagem (Vds)
650V
On-resistência Rds On
0.33 Ohms
Carcaça
TO-220FP
DI (T=100°C)
7A
DI (T=25°C)
11A
Idss (máx.)
10uA
Habitação (conforme ficha técnica)
TO-220F
Tensão Vds(máx.)
600V
C (pol.)
1148pF
Corrente máxima de drenagem
11A
Custo)
671pF
Função
Fast switch, Low gate charge 40nC, Low Crss 95pF
IDss (min)
1uA
Id(im)
33A
Montagem/instalação
montagem através de furo PCB
Pd (dissipação de energia, máx.)
36W
Potência
36W
Quantidade por caixa
1
Tecnologia
SuperFET
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
5V
Vgs(th) mín.
3V
Produto original do fabricante
Fairchild