Transistor de canal N DF600R12IP4D, 600A, outro, outro, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Carcaça: outro. Habitação (conforme ficha técnica): outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 37pF. Corrente do coletor: 600A. Dimensões: 172x89x37mm. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: não. Função: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Ic(pulso): 1200A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 10. Pd (dissipação de energia, máx.): 3350W. RoHS: sim. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Td(desligado): 0.7 ns. Td(ligado): 0.21 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.8V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 07:27