Transistor de canal N CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Caixa de plástico de 2 mm × 2 mm, 30 v. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Carcaça: WSON6. Habitação (conforme ficha técnica): Caixa de plástico de 2 mm × 2 mm. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 260pF. Custo): 140pF. IDss (min): -. Id(im): 57A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 17W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 4.2 ns. Td(ligado): 2.8 ns. Tecnologia: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Temperatura: +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.9V. Produto original do fabricante: Texas Instruments. Quantidade em estoque atualizada em 31/10/2025, 09:19