Transistor de canal N CM200DY-24H, 200A, outro, outro, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Carcaça: outro. Habitação (conforme ficha técnica): outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 40pF. Corrente do coletor: 200A. Custo): 14pF. Dimensões: 108x62x31mm. Diodo CE: não. Diodo de germânio: não. Função: Transistor IGBT duplo (isolado). Ic(pulso): 400A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 7. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta potência. Td(desligado): 300 ns. Td(ligado): 250 ns. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tipo de canal: N. Produto original do fabricante: Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 03:27