Transistor de canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 460pF. Custo): 55pF. Diodo Trr (mín.): 350 ns. Função: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. IDss (min): 0.1uA. Id(im): 11.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Produto original do fabricante: Siemens. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 08:57