Transistor de canal N BUZ76, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Tensão Vds(máx.): 400V. Função: Transistor N MOSFET. Nota: <57/115ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: V-MOS. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 08:57