Transistor de canal N BUZ22, TO-220AB, 100V

Transistor de canal N BUZ22, TO-220AB, 100V

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Transistor de canal N BUZ22, TO-220AB, 100V. Carcaça: TO-220AB. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 300 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1850pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 34A. Marcação do fabricante: BUZ22. Número de terminais: 3. RoHS: não. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:37

BUZ22
16 parâmetros
Carcaça
TO-220AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
100V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
300 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
1850pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.055 Ohms @ 34A
Dissipação máxima Ptot [W]
125W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
34A
Marcação do fabricante
BUZ22
Número de terminais
3
RoHS
não
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
30 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
4 v
Produto original do fabricante
Infineon