Transistor de canal N BUK7620-55A-118, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V

Transistor de canal N BUK7620-55A-118, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V

Quantidade
Preço unitário
1-4
7.88€
5-9
7.14€
10-24
6.52€
25+
6.11€
Quantidade em estoque: 1

Transistor de canal N BUK7620-55A-118, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. DI (T=100°C): 38A. DI (T=25°C): 54A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 17m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-404. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1200pF. Condicionamento: tubo de plástico. Custo): 290pF. Diodo Trr (mín.): 45 ns. IDss (min): 0.05uA. Id(im): 217A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 118W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 15 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 12:31

Documentação técnica (PDF)
BUK7620-55A-118
29 parâmetros
DI (T=100°C)
38A
DI (T=25°C)
54A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
17m Ohms
Carcaça
D2PAK ( TO-263 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-404
Tensão Vds(máx.)
55V
C (pol.)
1200pF
Condicionamento
tubo de plástico
Custo)
290pF
Diodo Trr (mín.)
45 ns
IDss (min)
0.05uA
Id(im)
217A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
118W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
70 ns
Td(ligado)
15 ns
Temperatura operacional
-55...+175°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4 v
Vgs(th) mín.
2V
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors