Transistor de canal N BTS740S2, SO, 30 milliOhms, PG-DSO20, 34V. Carcaça: SO. On-resistência Rds On: 30 milliOhms. Carcaça (padrão JEDEC): -. Habitação (conforme ficha técnica): PG-DSO20. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 34V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200us. Capacitância Ciss Gate [pF]: -. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 5A. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.8W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Função: Interruptor de alimentação inteligente no lado superior. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 2x5A. Marcação do fabricante: BTS740S2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 20. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Saída: 2db N-MOS 43V 5.5A. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 150us. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -. VCC: 5...34V. Produto original do fabricante: Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:14