Transistor de canal N BTS611L1E, D²-PAK/7, TO-263, 34V
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Transistor de canal N BTS611L1E, D²-PAK/7, TO-263, 34V. Carcaça: D²-PAK/7. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 34V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 400us. Capacitância Ciss Gate [pF]: -. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 4A. Marcação do fabricante: BTS611L1. Número de terminais: 3. RoHS: não. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 400us. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 16:37
BTS611L1E
15 parâmetros
Carcaça
D²-PAK/7
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-263
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
34V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
400us
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 1.8A
Dissipação máxima Ptot [W]
36W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
4A
Marcação do fabricante
BTS611L1
Número de terminais
3
RoHS
não
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
400us
Produto original do fabricante
Infineon