Transistor de canal N BTS5215LAUMA1, P-DSO-12, 40V
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Transistor de canal N BTS5215LAUMA1, P-DSO-12, 40V. Carcaça: P-DSO-12. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270us. Capacitância Ciss Gate [pF]: -. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 3.7A. Marcação do fabricante: BTS5215L. Número de terminais: 12:1. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 250us. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -. Produto original do fabricante: Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:25
BTS5215LAUMA1
14 parâmetros
Carcaça
P-DSO-12
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
40V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
270us
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.09 Ohms @ 2A
Dissipação máxima Ptot [W]
3.1W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
3.7A
Marcação do fabricante
BTS5215L
Número de terminais
12:1
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
250us
Produto original do fabricante
Infineon