Transistor de canal N BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=100°C): 0.12A. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 25pF. Custo): 8.5pF. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Função: Troca muito rápida. IDss (min): 0.01uA. Id(im): 0.8A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: compatível com nível lógico. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31