Transistor de canal N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

Transistor de canal N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

Quantidade
Preço unitário
1-4
1.68€
5-49
1.53€
50-99
1.42€
100+
1.33€
Quantidade em estoque: 14

Transistor de canal N BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SOT54. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 25pF. Custo): 8.5pF. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Função: Very fast switching, Logic level compatible. IDss (min): 0.01uA. Id(im): 0.8A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Temperatura: +150°C. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Philips Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BST72A
25 parâmetros
DI (T=25°C)
0.19A
Idss (máx.)
1uA
On-resistência Rds On
5 Ohms
Carcaça
TO-92
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT54
Tensão Vds(máx.)
100V
C (pol.)
25pF
Custo)
8.5pF
Diodo Trr (mín.)
30 ns
Função
Very fast switching, Logic level compatible
IDss (min)
0.01uA
Id(im)
0.8A
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.83W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
Td(desligado)
12 ns
Td(ligado)
3 ns
Tecnologia
Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.
Temperatura
+150°C
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
2V
Vgs(th) mín.
1V
Produto original do fabricante
Philips Semiconductors