Transistor de canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor de canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0903€
50-99
0.0784€
100-199
0.0715€
200+
0.0609€
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Mín.: 10

Transistor de canal N BSS138, SOT-23 ( TO-236 ), 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). DI (T=25°C): 0.22A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 27pF. Corrente de drenagem: 220mA. Custo): 13pF. IDss (min): 0.5uA. Id(im): 0.88A. Marcação na caixa: SS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. Polaridade: unipolar. Potência: 360mW. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 2.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 50V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante: Fairchild. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

Documentação técnica (PDF)
BSS138
35 parâmetros
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
DI (T=25°C)
0.22A
Idss (máx.)
100uA
On-resistência Rds On
0.7 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão Vds(máx.)
50V
C (pol.)
27pF
Corrente de drenagem
220mA
Custo)
13pF
IDss (min)
0.5uA
Id(im)
0.88A
Marcação na caixa
SS
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD SS
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.36W
Polaridade
unipolar
Potência
360mW
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Modo de aprimoramento de nível lógico
Td(desligado)
20 ns
Td(ligado)
2.5 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão da fonte de drenagem
50V
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
1.8V
Vgs(th) mín.
0.8V
Produto original do fabricante
Fairchild
Quantidade mínima
10

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