Transistor de canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Transistor de canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V

Quantidade
Preço unitário
10-49
0.0596€
50-99
0.0521€
100-199
0.0471€
200+
0.0403€
Quantidade em estoque: 2392
Mín.: 10

Transistor de canal N BSS138-7-F, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.2A. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 50pF. Condicionamento: rolo. Custo): 25pF. IDss (min): 0.5uA. Id(im): 1A. Marcação na caixa: SS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Nota: serigrafia/código SMD SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Peso: 0.008g. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Unidade de condicionamento: 3000. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V. Produto original do fabricante: Diodes Inc. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31

BSS138-7-F
33 parâmetros
DI (T=25°C)
0.2A
On-resistência Rds On
1.4 Ohms
Carcaça
SOT-23 ( TO-236 )
Habitação (conforme ficha técnica)
SOT-23 ( TO236 )
Tensão Vds(máx.)
50V
C (pol.)
50pF
Condicionamento
rolo
Custo)
25pF
IDss (min)
0.5uA
Id(im)
1A
Marcação na caixa
SS
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Nota
serigrafia/código SMD SS
Número de terminais
3
Pd (dissipação de energia, máx.)
0.3W
Peso
0.008g
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Spec info
Modo de aprimoramento de nível lógico
Td(desligado)
20 ns
Td(ligado)
20 ns
Tecnologia
Transistor de efeito de campo
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão porta/fonte Vgs
20V
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Unidade de condicionamento
3000
Vgs(th) máx.
1.5V
Vgs(th) mín.
0.5V
Produto original do fabricante
Diodes Inc
Quantidade mínima
10