Transistor de canal N BSS123, SOT-23 ( TO-236 ), 100V, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 100V. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Vdss (dreno para tensão da fonte): 100V. DI (T=25°C): 150mA. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 23pF. Características: -. Corrente de drenagem: 170mA. Custo): 6pF. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Função: serigrafia/código SMD SA. IDss (min): 10uA. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 150mA. Id(im): 600mA. Informação: -. MSL: 1. Marcação do fabricante: BSS123-7-F. Marcação na caixa: SA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Polaridade: unipolar. Potência: 360mW. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Rds em (max) @ id, vgs: 6 Ohms / 120mA / 10V. Resistência no estado: 6 Ohms. RoHS: sim. Série: -. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 100V. Tensão de condução: -. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Tensão porta/fonte Vgs max: ±20V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de montagem: SMD. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31