Transistor de canal N BSS123-ONS, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. On-resistência Rds On: 6 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 20pF. Custo): 9pF. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Equivalentes: BSS123-7-F. Função: serigrafia/código SMD SA. IDss (min): 10uA. Id(im): 680mA. Marcação na caixa: SA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento de nível lógico de transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.6V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1.6V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade mínima: 10. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31