Transistor de canal N BSS123-FAI, SOT-23, 100V
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Transistor de canal N BSS123-FAI, SOT-23, 100V. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 40pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 0.17A. Marcação do fabricante: SA. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 15:27
BSS123-FAI
16 parâmetros
Carcaça
SOT-23
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
100V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
20 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
40pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
6 Ohms @ 0.17A
Dissipação máxima Ptot [W]
0.36W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
0.17A
Marcação do fabricante
SA
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
10 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
2V
Produto original do fabricante
Onsemi (fairchild)