Transistor de canal N BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100nA. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 250pF. Custo): 88pF. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Função: Comutação de alta velocidade. IDss (min): 10nA. Id(im): 24A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 8.3W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: Nxp Semiconductors. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31