Transistor de canal N BSN20-215, SOT-23, TO-236AB, 50V

Transistor de canal N BSN20-215, SOT-23, TO-236AB, 50V

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Transistor de canal N BSN20-215, SOT-23, TO-236AB, 50V. Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 25pF. Configuração: componente montado em superfície (SMD). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 0.173A. Marcação do fabricante: BSN20. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.5V. Produto original do fabricante: Nxp. Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:45

Documentação técnica (PDF)
BSN20-215
17 parâmetros
Carcaça
SOT-23
Carcaça (padrão JEDEC)
TO-236AB
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
50V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
15 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
25pF
Configuração
componente montado em superfície (SMD)
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
15 Ohms @ 0.1A
Dissipação máxima Ptot [W]
0.83W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
0.173A
Marcação do fabricante
BSN20
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
8 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
3.5V
Produto original do fabricante
Nxp