Transistor de canal N BS170_D27Z, TO-92, 60V
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Transistor de canal N BS170_D27Z, TO-92, 60V. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 24pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 0.3A. Marcação do fabricante: BS170_D27Z. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Temperatura máxima: +150°C.. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Produto original do fabricante: Onsemi (fairchild). Quantidade em estoque atualizada em 12/11/2025, 21:45
BS170_D27Z
16 parâmetros
Carcaça
TO-92
Tensão da fonte de drenagem Uds [V]
60V
Atraso de desligamento tf[nsec.]
10 ns
Capacitância Ciss Gate [pF]
24pF
Configuração
montagem através de furo PCB
Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]
1.2 Ohms @ 0.2A
Dissipação máxima Ptot [W]
0.83W
Família de componentes
MOSFET, N-MOS
ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C
0.3A
Marcação do fabricante
BS170_D27Z
Número de terminais
3
RoHS
sim
Temperatura máxima
+150°C.
Tempo de ativação ton [nseg.]
10 ns
Tensão de ruptura da porta Ugs [V]
3V
Produto original do fabricante
Onsemi (fairchild)