Transistor de canal N BS107ARL1G, TO-92, 200V, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, 200V. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): -. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. DI (T=25°C): 250mA. Idss (máx.): 30nA. On-resistência Rds On: 6.4 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. C (pol.): 60pF. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Configuração: montagem através de furo PCB. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Custo): 30pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. ID da corrente de drenagem (a) a 25 ° C: 250mA. Id(im): 500mA. Marcação do fabricante: BS107A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: (DS) MOSFETs. Temperatura máxima: +150°C.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante: ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 13/11/2025, 13:31